Gyrwyr Giât VNS3NV04DPTR-E OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Disgrifiad o'r Cynnyrch
| Priodoledd Cynnyrch | Gwerth Priodoledd |
| Gwneuthurwr: | STMicroelectroneg |
| Categori Cynnyrch: | Gyrwyr Gate |
| RoHS: | Manylion |
| Cynnyrch: | Gyrwyr Gate MOSFET |
| Math: | Ochr Isel |
| Arddull Mowntio: | SMD/UDRh |
| Pecyn / Achos: | SOIC-8 |
| Nifer y Gyrwyr: | 2 Gyrrwr |
| Nifer o Allbynnau: | 2 Allbwn |
| Allbwn Cyfredol: | 5 A |
| Foltedd Cyflenwi - Uchafswm: | 24 V |
| Amser codi: | 250 ns |
| Amser Cwympo: | 250 ns |
| Tymheredd Gweithredu Isaf: | - 40 C |
| Tymheredd Gweithredu Uchaf: | + 150 C |
| Cyfres: | VNS3NV04DP-E |
| Cymhwyster: | AEC-Q100 |
| Pecynnu: | Rîl |
| Pecynnu: | Torri Tâp |
| Pecynnu: | Llygoden Rîl |
| Brand: | STMicroelectroneg |
| Sensitif i Leithder: | Oes |
| Cyflenwad Gweithredu Cyfredol: | 100 uA |
| Math o Gynnyrch: | Gyrwyr Gate |
| Swm Pecyn Ffatri: | 2500 |
| Is-gategori: | PMIC - IC Rheoli Pŵer |
| Technoleg: | Si |
| Pwysau Uned: | 0.005291 owns |
♠ OMNIFET II Power MOSFET llawn autoprotected
Mae'r ddyfais VNS3NV04DP-E yn cynnwys dau sglodyn monolithig (OMNIFET II) mewn pecyn SO-8 safonol.Mae'r OMNIFET II wedi'i gynllunio gan ddefnyddio technoleg STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 a'i fwriad yw disodli MOSFETs Pŵer safonol mewn cymwysiadau DC hyd at 50 kHz.
Mae diffodd thermol adeiledig, cyfyngiad cerrynt llinol a chlamp overvoltage yn amddiffyn y sglodion mewn amgylcheddau garw.
Gellir canfod adborth namau trwy fonitro foltedd wrth y pin mewnbwn
■ ECOPACK®: di-blwm ac yn cydymffurfio â RoHS
■ Gradd Modurol: cydymffurfio â chanllawiau AEC
■ Cyfyngiad cerrynt llinol
■ Cau thermol
■ Amddiffyniad cylched byr
■ Clamp integredig
■ Cerrynt isel wedi'i dynnu o'r pin mewnbwn
■ Adborth diagnostig trwy'r pin mewnbwn
■ Diogelu ESD
■ Mynediad uniongyrchol i giât y Power MOSFET (gyrru analog)
■ Yn gydnaws â MOSFET Power safonol
