MOSFET IRFR6215TRPBF 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
♠ Disgrifiad o'r Cynnyrch
| Priodoledd Cynnyrch | Gwerth Priodoledd |
| Gwneuthurwr: | Infineon |
| Categori Cynnyrch: | MOSFET |
| Technoleg: | Si |
| Arddull Mowntio: | SMD/SMT |
| Pecyn / Achos: | TO-252-3 |
| Polaredd Transistor: | Sianel-P |
| Nifer y Sianeli: | 1 Sianel |
| Vds - Foltedd Dadansoddiad Ffynhonnell Draen: | 150 V |
| Id - Cerrynt Draenio Parhaus: | 13 A |
| Rds Ymlaen - Gwrthiant Ffynhonnell Draen: | 580 mOhms |
| Vgs - Foltedd Ffynhonnell y Gât: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Foltedd Trothwy Ffynhonnell y Gât: | 4 V |
| Qg - Tâl Giât: | 66 nC |
| Tymheredd Gweithredu Isafswm: | - 55 gradd Celsius |
| Tymheredd Gweithredu Uchaf: | + 175°C |
| Pd - Gwasgariad Pŵer: | 110 W |
| Modd Sianel: | Gwella |
| Pecynnu: | Rîl |
| Pecynnu: | Torri Tâp |
| Pecynnu: | MouseReel |
| Brand: | Technolegau Infineon |
| Ffurfweddiad: | Sengl |
| Amser yr Hydref: | 37 ns |
| Trawsddargludedd Ymlaen - Min: | 3.6 S |
| Uchder: | 2.3 mm |
| Hyd: | 6.5 mm |
| Math o Gynnyrch: | MOSFET |
| Amser Codi: | 36 ns |
| Nifer y Pecyn Ffatri: | 2000 |
| Is-gategori: | MOSFETau |
| Math o Transistor: | 1 Sianel-P |
| Math: | Rhagarweiniol |
| Amser Oedi Diffodd Nodweddiadol: | 53 ns |
| Amser Oedi Troi Ymlaen Nodweddiadol: | 14 ns |
| Lled: | 6.22 mm |
| Rhan # Enwau Ffug: | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| Pwysau'r Uned: | 0.011640 owns |
♠ MOSFET Pŵer HEXFET® IRFR6215PbF IRFU6215PbF
Mae HEXFETs Pumed Genhedlaeth gan International Rectifier yn defnyddio datblygedigtechnegau prosesu i gyflawni'r ymwrthedd ymlaen isaf posibl fesulardal silicon. Y fantais hon, ynghyd â'r cyflymder newid cyflyma dyluniad dyfais garw y mae MOSFETau Pŵer HEXFET ynddyntyn adnabyddus am, yn darparu dyfais hynod effeithlon i'r dylunyddi'w ddefnyddio mewn amrywiaeth eang o gymwysiadau.
Mae'r D-PAK wedi'i gynllunio ar gyfer ei osod ar yr wyneb gan ddefnyddio cyfnod anwedd,technegau sodro is-goch, neu donnau. Y fersiwn plwm syth(Cyfres IRFU) ar gyfer cymwysiadau mowntio twll trwodd. Pŵermae lefelau gwasgariad hyd at 1.5 wat yn bosibl mewn arwyneb nodweddiadolmowntio cymwysiadau.
Sianel-P
Tymheredd Gweithredu 175°C
Mowntio Arwyneb (IRFR6215)
Plwm Syth (IRFU6215)
Technoleg Proses Uwch
Newid Cyflym
Wedi'i raddio'n llawn ar gyfer eirlithriad
Di-blwm
